摘要
Y99-61799-507 0007297CdGaS<sub>4</sub>的光吸收研究=Optical absorption of CAGaS<sub>4</sub>[会,英]/Arushanov,E.& Zhitar,V.//Proceedings of1998 International Semiconductor Conference,Vol.2.—507~510(UG)研究了温度范围为85~300K 时 CdGa<sub>2</sub>S 的光学吸收。测定了其能带隙(在85K 时为3.17ev)及其与温度的依赖关系。所使用的研究工具为三参数热动力学模型和爱因斯坦模型。结果发现,带尾态可使吸收增加(在基带边)。
出处
《电子科技文摘》
2000年第5期9-9,共1页
Sci.& Tech.Abstract