摘要
Y2000-62067-102 0009060低温原子氢辐射条件下采用 MBE 生长 InGaAs 过程中的砷化合=Arsenic incorporation in InGaAs grown byMBE at low temperatures under atomic hydrogen irradia-tion[会,英]/Goh,S.C.& Usher,B.F.//1998 IEEEInternational Conference on Optoelectronic and Micro-electronic Materials and Devices.—102～105(EC)
出处
《电子科技文摘》
2000年第6期6-7,共2页
Sci.& Tech.Abstract
