光电、光敏与发光材料

导出

摘要 Y2000-62067-202 0009075采用分子束外延生长的立体 GaN 的光辐射频带=Op-tical emission bands in cubic GaN grown by MBE[会,英]/Goldys,E.M.& Godlewski,M.//1998 IEEEInternational Conference on Optoelectronic and Micro-electronic Materials and Devices.—202～205(EC)

出处《电子科技文摘》 2000年第6期8-8,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词发光材料分子束外延生长发光学辐射频带光电光敏补偿度掺杂聚集体双晶衍射

分类号 TN [电子电信]

引文网络
相关文献

1朱顺才.半绝缘GaAs单晶补偿度分布研究[J].中山集团评论,1989(4):25-29.
2孙毅之,徐维明.P—si补偿度的迁移率分析法[J].半导体杂志,1991,16(2):83-88.
3辛勇,熊传兵,彭学新,王立,姚冬敏,李述体,江风益.MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究[J].发光学报,2000,21(1):33-37. 被引量：1
4何菊生,张萌,许彪,唐建成.纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型[J].Journal of Semiconductors,2007,28(7):1041-1047.
5姚冬敏,王立,熊传兵,彭学新,江风益.GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究[J].发光学报,2000,21(2):109-114. 被引量：4
6李述体,王立,辛勇,彭学新,熊传兵,姚冬敏,江风益.MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究[J].发光学报,2000,21(1):29-32. 被引量：11
7周滨,杨锡权,王占国.一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法[J].稀有金属,1998,22(2):116-119.
8蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,丛秀云.深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性[J].Journal of Semiconductors,2005,26(6):1140-1143. 被引量：5
9周步康,范艳伟,陈朝阳.铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响[J].电子元件与材料,2013,32(7):10-13. 被引量：3
10韦亚一,郑国珍,沈金熙,沈杰,郭少令,汤定元.低补偿度n－Hg_（1－x）Cd_xTe的弱局域效应[J].Journal of Semiconductors,1995,16(4):263-267. 被引量：1

电子科技文摘

2000年第6期

浏览历史

内容加载中请稍等...

光电、光敏与发光材料

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史