晶体管、MOS器件

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摘要 Y2000-62067-44 0009263绝缘体上硅技术,器件与挑战=Silicon on insulatortechnology,devices,and challenges[会,英]/Cristoloveanu,S.//1998 IEEE International Conferenceon Optoelectronic and Microelectronic Materials and De-vices.—44～48(EC)

出处《电子科技文摘》 2000年第6期22-24,共3页 Sci.& Tech.Abstract

关键词绝缘体上硅技术金属半导体场效应晶体管异质结双极晶体管高电子迁移率晶体管碳化硅器件功率附加效率噪声特性研究与进展功率放大器肖特基势垒栅场效应晶体管

分类号 TN [电子电信]

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1陈新宇,郝西萍,陈继义.多栅GaAs MESFET开关的结构设计[J].Journal of Semiconductors,2004,25(4):450-453.
2有望用于制造下一代高性能移动电话的晶体管[J].中国科技信息,2003(10):30-30.
3半导体材料[J].电子科技文摘,2000(7):5-6.
4付兴昌,潘宏菽.S波段大功率SiC MESFET的设计与工艺制作[J].微纳电子技术,2011,48(9):558-561.
5姜一波,曾传滨,杜寰,罗家俊,韩郑生.Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology[J].Journal of Semiconductors,2012,33(3):38-41.
6冯倩,郝跃.新型绝缘体上硅技术的发展与展望[J].西安电子科技大学学报,2001,28(6):792-796. 被引量：4
7张有涛,夏冠群,高建峰,李拂晓.2Gbps GaAs单片4bit数模转换器的设计与实现[J].固体电子学研究与进展,2006,26(1):34-37.
8半导体物理[J].电子科技文摘,2001,0(3):15-16.
9刘忠立,赵凯.FD-SOI的优点及在中国发展的机遇[J].微处理机,2015,36(2):1-3.
10陈新宇,陈继义,郝西萍,李拂晓,邵凯,杨乃彬.GaAs MESFET开关模型[J].微波学报,2002,18(2):85-87.

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