摘要
Y2000-62067-460 0016273采用 MOCVD 在 GaAs 上生长自组织 GaSb 岛的大小与密度的控制=Size and density control of MOCVDgrown self-organised GaSb islands on GaAs[会,英]/Motlan,Goldys,E.M.//1998 IEEE International Con-ference on Phtoelectronic and Microelectronic Materialsand Devices.—460～463（EC）Y2000-62067-464 0016274采用 MOCVD 生长 GaSb 和 Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Sb 层及其特性=Growth and properties of GaSb and Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub> Sb Layersby MOCVD[会,英]/Ramelan,A.H.& Drozdowicz-
出处
《电子科技文摘》
2000年第10期32-33,共2页
Sci.& Tech.Abstract
