摘要
0017903Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>在 BaTiO<sub>3</sub>基低阻高性能 PTCR 陶瓷材料中的作用[刊]/吴波//电子元件与材料.—2000,19（4）.—15～17（C）要同时保证 PTCR 材料和元件具有低室温电阻率和较高的 PTC 特性,有较大难度。研究了添加 Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>作为烧结助剂,对 PTCR 材料的显微结构和电学性能的影响。同添加 SiO<sub>2</sub>作为烧结助剂相比,添加1.0%的 Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>的 PTCR
出处
《电子科技文摘》
2000年第11期7-7,共1页
Sci.& Tech.Abstract
