半导体物理

Y2000-62135-41 0018088DC/AC 应力下考虑微结构的电子迁移模拟=Electro-migration simulation under DC/AC stresses consideringmicrostructure[会,英]/Zhang,W.& Bernstein,J.B.//1999 IEEE Proceedings of International Intercon-nect Technology Conference.—41～43(EC)本文对在直流和交流电流密度影响下应力沿互连线的变化进行了动态有限差分模拟,且考虑了晶粒尺寸的非均匀性和晶界的定向。通过确定一定的应力等级作为失效标准,将加速应力和微结构条件与迁移寿命相联系。