摘要
Y2000-62135-152 0020165高纵横比175nm 技术用低再沉淀速率高密度等离子体 CVD 工艺=A low redeposition rate high density plas-ma CVD process for high aspect ratio 175nm technologyand beyond[会,英]/Lee,G.Y.& Ivers,T.H.//1999 IEEE Proceedizips of International InterconnectTechnology Conference.-152～154(EC)
出处
《电子科技文摘》
2000年第12期41-43,共3页
Sci.& Tech.Abstract
