晶体管、MOS器件

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摘要 Y2000-62028-1047 0100246新的双 P 阱横向发射极开关晶闸管=A novel doubleP-well lateral emitter wwitched thyristor[会,英]/Qin,Z.X.& Sankara.E.M.//1999 IEEE 49th ElectronicComponents and Technology Conference.—1047～1050(PC)Y2000-62185-32 0100247退化 P-MOSFET 热载流子电荷抽运电流模拟=Simu-lation of charge pumping current in hot-carrier

出处《电子科技文摘》 2001年第1期22-23,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词发射极开关晶闸管多晶硅薄膜晶体管热载流子电流模硅基量子点器件氧化物电荷抽运夹断电压退化

分类号 TN [电子电信]

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