摘要
Y2000-62474-133 0101839备择栅介质应用的具有低漏泄与极好可靠性的超薄二氧化铪=Ultrathin hafnium oxide with low leakage andexcellent reliability for alternative gate dielectric applica-tion[会,英]/Lee,B.H.& Kang.L.//1999 IEEE In-ternational Electron Devices Meeting.—133～136（PC）Y2000-62474-137 0101840深亚微米 CMOS 技术用的优质超薄（1.5nm）TiO<sub>2</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>栅介质=High quality ultra-thin（1.5nm）TiO<sub>2</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> gate dielectric for deep sub-micron CMOS technolo-gy[会,英]/Guo,X.& Wang,X.W.//1999 IEEE In-ternational Electron Devices Meeting.—137～140（PC）
出处
《电子科技文摘》
2001年第2期5-6,共2页
Sci.& Tech.Abstract
