摘要
Y2000-62562-64 0103565硅化物（含3篇文章）=Silicide[会,英]//Proceedings ofthe IEEE 2001 International Interconnect TechnologyConference.—62～72（ZC）本部分的3篇文章介绍了掺杂硅衬底上 PECVD-Ti 硅化物薄膜的不规则生长,0.15μm CMOS 器件采用快速热退火的钨多晶硅栅的反应势垒形成,以及亚0.2μm 金属位线接触的 PECVD-Ti 工艺中 TiCl<sub>4</sub>预处理的作用。
出处
《电子科技文摘》
2001年第3期7-8,共2页
Sci.& Tech.Abstract
