半导体物理

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摘要 Y2000-62422-48 0103656高剂量 SIMOX 硅片 SOI-BOX 界面局域能量陷阱态分析=Evidence of energetically-Localized trap-states at SOI-BOX interface in high-dose SIMOX wafers[会,英]/Ushiki,T.& Kotani,K.//1999 IEEE InternationalSOI Conference Proceedings.—48～49(EC)Y2000-62422-52 0103657绝缘体上硅 MOS

出处《电子科技文摘》 2001年第3期15-16,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词半导体物理场效应晶体管绝缘体上硅技术高剂量陷阱态局域能二极管界面态硅片栅极

分类号 TN [电子电信]

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8冯倩,郝跃.新型绝缘体上硅技术的发展与展望[J].西安电子科技大学学报,2001,28(6):792-796. 被引量：4
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