摘要
Y2001-62591-61 01140430.18μm高性能嵌入式 DRAM 制造方法=A fabricationmethod for high performance embedded DRAM of 0. 18μm generation and beyond [会, 英]/Yoshida, T. &Takato, H.//2000 IEEE Custom Integrated CircuitsCorfference. —61～64 (EC)Y2001-62591-65 0114044具有备用铁电电容器的非易失性 SRAdVl=NV-SRAM:a nonvolatile SRAM with back-up Ferroelectric
出处
《电子科技文摘》
2001年第8期102-104,共3页
Sci.& Tech.Abstract
