摘要
0116551半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性[刊]/胡贵军//半导体光电.—2001,22(1).—12~14(C)011655Z宽禁带CaN基半导体激光器进展[刊]/章蓓//半导体光电.—2001,22(1).—1~6(C)宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪末研究最活跃的半导体材料系,其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研究热点作了扼要介绍。
出处
《电子科技文摘》
2001年第10期23-23,共1页
Sci.& Tech.Abstract