电子工艺

导出

摘要 Y2001-62725-399 0118512用边界限制的加速切断平面图设计=On acceleratingslicing floorplan design with boundary constraints[会,英]/Liu,E.-C.& Lin,T.-H.//2000 IEEE Interna-

出处《电子科技文摘》 2001年第11期27-28,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词电子工艺图设计硫属化物功能材料外延生长横向过生长边界平面切断合成方法

分类号 TN [电子电信]

引文网络
相关文献

1魏茂林,齐鸣,李爱珍.横向过生长(LEO)外延GaN材料及其生长机理[J].功能材料与器件学报,2001,7(2):199-204. 被引量：1
2秦大甲.传输大功率红外光的硫属化物光纤[J].文献快报（纤维光学与电线电缆）,1997(3):14-16.
3张帷,刘彩池,郝秋艳.选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展[J].半导体技术,2007,32(2):93-96. 被引量：5
4新型红外波段非线性光学晶体材料研究通过验收[J].现代材料动态,2008(3):27-27.
5孙杰贤.亚太,英国电信希望所在[J].通讯世界,2008(7):20-21.
6贾定先,戴洁,赵前信,唐爱斌,刘宇.软化学法合成有机杂化锗、锡硫属化物的研究进展[J].中国学术期刊文摘,2006,12(11):4-4.
7R. S. Sharma,N. Mehta,A. Kumar.Thermally Activated Photoconduction and Alternating-Current Conduction in Se75Ge20Ag5 Chalcogenide Glass： Investigation of Meyer-Neldel Rule[J].Chinese Physics Letters,2008,25(11):4079-4082.
8李嘉炜,王宇,叶志镇.GaN系量子阱器件的研究进展[J].半导体情报,2001,38(6):13-17. 被引量：1
9张吉英,申德振,范希武.基于Be的宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料及激光二极管研究[J].光电子．激光,1999,10(6):584-588.
10Shuli Zhao,Huan Wang,Yu Zhou,Lei Liao,Ying Jiang,Xiao Yang,Guanchu Chen,Min Lin,Yong wang,Hailin Peng,Zhongfan Liu.Controlled synthesis of single-crystal SnSe nanoplates[J].Nano Research,2015,8(1):288-295. 被引量：9

电子科技文摘

2001年第11期

浏览历史

内容加载中请稍等...

电子工艺

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史