摘要
0120345硅的横向刻蚀技术研究[刊]/范忠//微电子学.—2001.31（3）.—195～197,203（K）研究了 SF<sub>6</sub>等离子体横向刻蚀硅的速率和对 SiO<sub>2</sub>的选择性,主要通过改变 SF<sub>6</sub>气体流量和加入 O<sub>2</sub>,提高硅的横向刻蚀速率和对 SiO<sub>2</sub>选择性。实验发现,加入 O<sub>2</sub>能提高 SF<sub>6</sub>等离子对 Si 的横向刻蚀速率和 Si/SiO<sub>2</sub>的刻蚀速率比。Si 的横向刻蚀速率最高可达0.
出处
《电子科技文摘》
2001年第12期6-6,共1页
Sci.& Tech.Abstract
