半导体物理

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摘要 Y2001-62909-397 0120484环氧树脂涂覆氮化硅的界面退化=Interfacial degrada-tion of epoxy coated silicon nitride[会,英]/Park,J.&Harlow,D.G.//2000 IEEE 50th Electronic Compo-

出处《电子科技文摘》 2001年第12期18-19,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词界面脱层倒装片环氧树脂氮化硅半导体物理陶瓷衬底组件模拟法退化机制粘弹性

分类号 TN [电子电信]

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