半导体器件

原文传递

导出

摘要 Y2001-62839 01204922000年 IEEE 双极/BiCMOS 电路与技术会议录=2000 IEEE proceedings of bipolar/BiCMOS circuits

出处《电子科技文摘》 2001年第12期19-19,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词半导体器件研究与进展技术会议异质结双极晶体管肖特基势垒二极管结型晶体管通信电路固体电子学工艺反向电流密度

1程新风.二极管反向电流的抑制[J].半导体技术,1997,13(2):20-22.
2宁波材料所在无结薄膜晶体管领域取得重要进展[J].化工新型材料,2011,39(12):141-141.
3半导体物理[J].电子科技文摘,2000(1):22-23.
4振荡技术与振荡器、谐振回路[J].电子科技文摘,1999(9):62-63.
5施小忠,夏冠群,汪乐,莫金玑.MOCVD GaAs太阳电池的结特性[J].Journal of Semiconductors,1999,20(1):72-78.
6Soo-Seong Kim.电力电子 IGBT设计与制程技术的发展[J].电子与电脑,2009,9(10):45-52. 被引量：3
7张义门,常远程,张玉明.高温Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的特性[J].功能材料与器件学报,2002,8(4):383-387. 被引量：3
8宋邦燮,刘力源.深亚微米CMOS模拟集成电路设计[J].中国科技信息,2014(6):180-180. 被引量：1
9周正刚,杨恒青.晶体管发射结正向电容的测量及分析[J].固体电子学研究与进展,2003,23(1):96-102. 被引量：1
10测量理论与测试方法[J].电子科技文摘,2000(1):101-101.

电子科技文摘

2001年第12期

浏览历史

内容加载中请稍等...