晶体管、MOS 器件

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摘要 0206014InGaP/GaAs HBT 费米统计律下的效值模拟计算[刊]/彭鹏//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—379～383(C)用费米分布函数对 HBT 结构中载流子的分布进行了计算,与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析。同时在热场发射-扩散模型的基础上,用两种方法得到的载流子分布分别对 InGaP/GaAs HBT 进行了数值模拟计算和分析。

出处《电子科技文摘》 2002年第4期19-19,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词器件模拟 MOS 费米分布彭鹏功能材料扩散模型玻尔兹曼热场数值模拟在线测试系统

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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