期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
半导体物理
原文传递
导出
摘要
N2002-07534 0210592电子情报通信学会技术研究报告:电子器件ED2000-162~168(信学技报,Vol.100,No.369)〔汇,日〕/日本电子情报通信学会.-2000.10.-42P.(L) 本文集为化合物混晶半导体器与材料专辑。
出处
《电子科技文摘》
2002年第6期32-32,共1页
Sci.& Tech.Abstract
关键词
电子情报
技术研究报告
半导体物理
通信学会
半导体技术
结构分析
微波部件
混晶
热载流子
生长技术
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
张忱.
Ⅲ—(N,Ⅴ)混晶半导体[J]
.电子材料快报,1998(4):3-4.
2
康俊勇,林虹,黄启圣.
AlGaAs混晶中的Sn施主深能级[J]
.厦门大学学报(自然科学版),1991,30(1):29-32.
3
YARBO(雅堡)GY-FV110-OCC喇叭线[J]
.视听前线,2007(4):99-99.
4
李小沛.
音乐录音艺术——听得见的世界观(三)[J]
.现代电视技术,2014(1):89-90.
被引量:1
5
云长.
Ⅲ—N—Ⅴ族混晶半导体特性及其光电器件应用前景[J]
.电子材料快报,1996(7):1-2.
6
在172K下显示强磁性的半导体结构[J]
.现代化工,2004,24(4):70-70.
7
黄启圣.
GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂[J]
.Journal of Semiconductors,1989,10(7):553-555.
8
陈世帛,周必忠.
GaAs_(1-x)P_x:TeLED中深能级及其对发光效率的影响[J]
.厦门大学学报(自然科学版),1995,34(5):715-718.
9
聂秀英.
IPTV面面观[J]
.通信业与经济市场,2006(10):8-12.
10
聂秀英.
IPTV面面观[J]
.电信网技术,2006(7):63-65.
被引量:2
电子科技文摘
2002年 第6期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部