元素半导体

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摘要 0212505厚度对 a-Si:H 薄膜性能的影响[刊]/钱祥忠//真空电子技术.—2002,(1).—40～42(C)用等离子体增强化学气相沉积法在最佳工艺参数下在硼玻璃基片上沉积了厚度为1μm 以下的不同厚度的 a-Si:H 薄膜。

出处《电子科技文摘》 2002年第7期9-9,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词元素半导体光电性质玻璃基片薄膜厚度薄膜性能真空电子技术工艺参数光致发光多孔硅光学带隙

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电子科技文摘

2002年第7期

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