摘要
Y2002-63234-175 0224583通过栅极沟道掺杂抑制 MOSFET 逆短沟道效应=Suppression of MOSFET reverse shoft channel effect bychannel doping through gate electrode[会,英]/Nagai,K.& Wada,T.//2001 IEEE International Symposiumon Semiconductor Manufacturing.—175～178(E)N2002-07712 0224584电子情报通信学会技术研究报告:电子器件 ED2000-219～225(信学技报,Vol.100,No.547)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—2001.01.—46P.(L)
出处
《电子科技文摘》
2002年第12期17-18,共2页
Sci.& Tech.Abstract
