摘要
N2002-07682 0224657电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM2000-167～186(信学技报,Vol.100,No.517)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—2000.12.—134P.(L)本文集为半导体硅以及相关材料评价专辑,收录的20篇论文主要涉及:硅表面腐蚀技术与模拟,硅中缺陷分布,SiGeC 混晶半导体的外延生长,低温多晶硅薄膜晶体管,多晶硅薄膜结晶生长,低温多硅 TFT
出处
《电子科技文摘》
2002年第12期22-23,共2页
Sci.& Tech.Abstract
