热处理与表面处理工艺

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摘要 Y2002-63234-259 03003940.18μm工艺中提高硅片边缘成品率和硅片平整度的氟化硅玻璃化学机械抛光新方式=Novel strategies ofFSG-CMP for within-wafer uniformity improvement andwafer edge vield enhancement beyond 0.18μm microtechnologies[会,英]/Chen,K.W.& Wang,Y.L.//2001 IEEE International Symposium on SemiconductorManufacturing.—259～261(E)

出处《电子科技文摘》 2003年第1期27-27,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词表面处理工艺化学机械抛光氟化硅 WAFER 平整度 UNIFORMITY 化学汽相淀积信息与管理淬火介质工程版

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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