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半导体物理

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摘要 Y2002-63302-132 0305076无定形硅氧氮化物的电介质陷阱=Dielectric traps inamorphous silicon oxynitride[会,英]/Wong,H.//2001IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting.—132~139(E)
出处 《电子科技文摘》 2003年第3期17-18,共2页 Sci.& Tech.Abstract
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