摘要
Y2002-63302-153 0305154中间温度缓冲层上分子束外延生长高质量 GaN 薄膜的电特性=Electrical properties of high quality MBE-grown GaN thin films on intermediate-temperatre bufferlayers[会,英]/Fong,W.K.& Zhu,C.F.//2001IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting.—153～157(E)Y2002-63306-125 0305155应用 InGaAs 三态源的 InGaAs 三元体晶体生长方法=InGaAs ternary bulk crystal growth method using
出处
《电子科技文摘》
2003年第3期23-23,共1页
Sci.& Tech.Abstract
