摘要
Y2002-63306-260 0306976p 型磷化铟等离子体感应缺陷快速迁移=Fast migra-tion of plasma-induced defects in p-InP[会,英]/Okumu-ra,T.& Honda,T.//2001 IEEE International Confer-ence on Indium PhospKde and Related MaterialS.—260～263（E）Y2002-63306-326 0306977(Al<sub>0.7</sub> Ga<sub>0.3</sub>)<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>P/Al<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>P 超晶格瞬态光电流与光致发光同时测量=Simultaneous measurements oftransient photo-current and photoluminescence for(Al<sub>0.7</sub>
出处
《电子科技文摘》
2003年第4期6-6,共1页
Sci.& Tech.Abstract
