摘要
Y2002-63306-256 0307209反应离子腐蚀形成低损伤 InP 侧壁=Low damage InPsidewall formation by reactive ion etching[会,英]/Saga,N.& Masuda,T.//2001 IEEE International Confer-ence on Indium Phosphide and Related Materials.—256～259（E）Y2002-63306-421 0307210InP/InGaAs 异质结双极晶体管 NH<sub>3</sub>等离子体表面钝化=Ammonia（NH<sub>3</sub>）plasma surface passivation of InP/
出处
《电子科技文摘》
2003年第4期23-24,共2页
Sci.& Tech.Abstract
