材料制备工艺

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摘要 Y2002-63306-276 0307221生长速率对金属有机分子束外延生长 InGaAs/InP(001)晶面横向组分调制的影响=Effects of growthrate on lateral compositional modulation of InGaAs/InP(001)grown by metalorganic m01ecular beam epiraxy[会,英]/Ogasawara,M.//2001 IEEE InternationalConference on Indiurn Phosphide and Related Materi-als.—276～279(E)

出处《电子科技文摘》 2003年第4期24-25,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词材料制备工艺分子束外延生长汽相外延生长 compositional 可见光透射率量子点量子线异质外延晶格匹配激光器结构

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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