真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

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摘要 Y2002-63306-307 0307243多硅片 AIX2400G3行星反应器中生长长波长 InP 基材料=InP based materials for long wavelength optoelec-tronics grown in a multiwafer AIX 2400 G3 planetary re-actor[会,英]/Schmitt,T.& Deufel,M.//2001 IEEEInternational Conference on Indium Phosphide and Relat-ed Materials.—307～309(E)

出处《电子科技文摘》 2003年第4期25-26,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词淀积金属化真空蒸发 PLANETARY STRAINED MOCVD 金属有机化学玻璃衬底可见光范围化学气相沉积

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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