摘要
Y2002-63318-377 0327975用于使用IGBT饱和电压特性的低损耗系统的一个新门驱动电路=A novel gate drive circuit for low-loss sys—tem using IGBT saturation voltage characteristics[会,英]/Takizawa,S.& Igarashi,S.//2001 IEEE Pro—ceedings of the 13th International Symposium on PowerSemiconductor Devices & ICs.
出处
《电子科技文摘》
2003年第12期38-38,共1页
Sci.& Tech.Abstract
