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TI：600 V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能--TI公布其制造并提供样片的首款集成高压GaN FET和驱动器解决方案可实现2倍的功率密度,同时将功率损耗减半

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摘要基于数十年的电源管理创新经验,德州仪器（TI）近日宣布推出一款600 V氮化镓（GaN）70 m U场效应晶体管（FET）功率级工程样片,从而使TI成为首家,也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的Ga N解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比,

机构地区 ti

出处《微型机与应用》 2016年第9期92-92,共1页 Microcomputer & Its Applications

关键词高压驱动器功率密度 GAN FET 功率损耗集成样片 TI

分类号 TN389 [电子电信—物理电子学]

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微型机与应用

2016年第9期

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