弯曲电流为新型内存另辟蹊径

一种新型存储介质“磁阻式随机存取内存（MRAM）”或许可以使你在未来不必再等待计算机启动。MRAM比其他类型的存储介质更快、更高效、更稳定。但随着写入磁位元所需的电流密度日趋增高，它还无法大规模应用。近期，荷兰埃因霍芬理工大学（TU／e）的研究人员发现，通过“弯曲”电流的方式能巧妙地解决该问题。