元器件快览——Component Update
出处
《今日电子》
1999年第1期53-55,共3页
Electronic Products
-
1IC快览[J].今日电子,1999(1):47-51.
-
2L.F.Eastman,赵旭霞.真空和半导体场效应晶体管性能极限的比较[J].半导体情报,1992(4):9-12.
-
3专用于无线Modem的脉冲电容器[J].今日电子,2011(1):67-68.
-
4CoolMOS MOSFET[J].世界电子元器件,2009(8):42-42.
-
5激光微调电容器[J].激光与光电子学进展,2005,42(5):61-61.
-
6IC快览[J].今日电子,2000,0(S1):18-19.
-
7杨浩忠.供电子战用的多瓦砷化镓场效应晶体管芯片[J].电子工程信息,1989(10):29-30.
-
8王福臣.S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能[J].固体电子学研究与进展,1992,12(4):293-299.
-
9罗小蓉,姚国亮,陈曦,王琦,葛瑞,Florin Udrea.Ultra-low on-resistance high voltage (>600V) SOI MOSFET with a reduced cell pitch[J].Chinese Physics B,2011,20(2):555-560.
-
10徐俊毅.Intersil收购磐大微电子拓展中国业务[J].电子与电脑,2010,10(1):50-50.
;
