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英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术
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摘要
英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiCMOSFET具备更大灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。
出处
《单片机与嵌入式系统应用》
2016年第6期87-87,共1页
Microcontrollers & Embedded Systems
关键词
MOSFET
碳化硅
技术
股份公司
功率密度
产品设计
电源转换
高可靠性
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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