三星电子宣布第三代14纳米FinFET LPC制程研发即将完成

三星电宣布第三代14纳米鳍式场效电晶体（Fin FET）LPC制程研发即将完成,第三代14纳米Fin FET LPC将比第二代LPP更节省电力消耗,且生产费用更低。预估在2016年底前,三星电子将扩大新制程在晶圆代工领域的应用。