650V快速体二极管MOSFET

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摘要 650VEF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换（ZVS）／软开关拓扑中提高可靠性，

出处《今日电子》 2016年第6期67-67,共1页 Electronic Products

关键词 MOSFET器件体二极管零电压切换反向恢复阻断电压高可靠性过应力软开关

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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1希雷.IR推出新型500V和600V集成电路[J].半导体信息,2006,0(5):35-36.
2邓永孝.半导体器件的过应力损伤[J].航天工艺,1995(3):19-21. 被引量：1
3Linear同步PWM全桥控制器[J].电子产品世界,2003,10(07B):100-100.
4邓永孝.半导体器件的“过应力”损伤[J].微处理机,1996(1):15-18.
5吴建忠.MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析[J].半导体技术,1994,10(2):51-54. 被引量：2
6马晋,王富珍,王彩琳.IGBT失效机理与特征分析[J].电力电子技术,2014,48(3):71-73. 被引量：24
7Michael O'Loughlin.如何让同步整流器达到高效率标准[J].电子设计技术 EDN CHINA,2011,18(7):62-62. 被引量：2
8荣春生.背光板OZ964介绍及背光板的维修[J].家电检修技术,2014(4):61-62.
9汪洋,林海青,常越.反激式准谐振开关电源工作频率确定及电源研制[J].电力电子技术,2005,39(3):92-94. 被引量：22
10张瑞华,谢智波,陆光华.一种新型的AC-PDP能量恢复电路[J].光电子技术,2008,28(2):139-143. 被引量：3

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