由波矢及动量表象中的电子分布推导半导体热电子发射电流
出处
《大学物理》
1986年第12期39-40,共2页
College Physics
参考文献5
-
1C. R. Crowell and M. Baguwala,"Recombination Velocity Effects on Current Diffusion and Imref in Schottky Barriers", Solid-Slate Electron.,V14, P. 1149-1159,1971.
-
2E. H. Rhoderick, "Comments on the Conduction Mechanism in Schottky Diodes".J. Phys. D:Appl Phys, V5,P. 1920-1929,1972,.
-
3S. M. Sze, "Physics of Semiconductor Devices , New York,1969.
-
4爱德华·S·杨著(卢纪译,叶良修校),“半导体器件基础”,人民教育出版社,1981,369—370页.
-
5朱谆远,“量子力学”,国防工业出版社,1979,47、90页.
-
1邱全才,邱杰,吕海英.浅谈对县级有线数字电视网络前端的监测[J].世界宽带网络,2012,19(7):73-74.
-
2夏新仁,尹成友,金贤龙,王守杰.等离子体天线的原理及特性[J].上海航天,2009,26(6):8-12. 被引量：2
-
3朱旗,吴磊.纳米管阵列辐射的初步研究[J].电波科学学报,2008,23(2):243-246.
-
4孙昊,王峨锋,朱源,曾旭,冯进军,闫铁昌.W波段回旋行波管收集极热可靠性设计[J].强激光与粒子束,2014,26(11):110-113. 被引量：3
-
5胡玥,饶海波.单层有机器件的电子传输特性的数值模拟[J].物理学报,2009,58(5):3474-3478. 被引量：2
-
6黄英,李建军,张以忱,李傲.直流磁控溅射中矩形平面靶刻蚀形貌的数值计算及优化[J].真空科学与技术学报,2014,34(11):1206-1214. 被引量：3
-
7赵伟明,唐春玖,蒋雪茵,张志林,许少鸿.ZnS∶Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布[J].发光学报,1996,17(1):38-42.
-
8习凯,刘杰,张战刚,耿超,刘建德,古松,刘天奇,侯明东,孙友梅.重离子产生δ电子对SRAM单粒子翻转的影响[J].原子核物理评论,2014,31(1):81-85. 被引量：1
-
9仲雪飞,张雄,尹涵春,雷威,王保平.不同驱动方式下后栅极场发射显示板的工作特性[J].东南大学学报（自然科学版）,2009,39(6):1119-1123. 被引量：1
-
10张义门,常远程,张玉明.高温Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的特性[J].功能材料与器件学报,2002,8(4):383-387. 被引量：3
