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安森美半导体进一步扩展IGBT系列推出基于第三代超场截止技术的1200V器件
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摘要
2016年5月10日一推动高能效创新的安森美半导体(ON Semicoductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出新系列绝缘栅双极晶体管(IGnBT),采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3W徽计旨在提升工作性能水平,以符合现代开关应用的严格要求。
出处
《电源技术应用》
2016年第5期I0005-I0005,共1页
Power Supply Technologles and Applications
关键词
安森美半导体
IGBT
技术
第三代
绝缘栅双极晶体管
器件
工作性能
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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电源技术应用
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