0.18μm一次编程(OTP)存储器的数据保持性能研究

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摘要数据保持能力一直是评估非挥发性存储器可靠性的重要组成部分。栅氧化层的缺陷和浮栅的表面正离子均会诱发存储在浮栅里面的电子跃迁,引起存储器数据丢失。优化浮栅前洗工艺和阱退火工艺,能有效消除浮栅表面的正离子和栅氧化层的缺陷,从而提高数据保持能力和芯片的可靠性。

作者林俊毅刘宇

机构地区上海华虹宏力半导体制造有限公司

出处《集成电路应用》 2016年第5期28-32,共5页 Application of IC

关键词一次编程存储器 OTP 数据保持正离子阱退火

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集成电路应用

2016年第5期

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