台积电7nm、10nm制程领先试产被引量：1

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摘要台积电表示,10nm已经有试产晶圆产出,2017年将在中科12英寸晶圆厂Fab15的第5期、第6期开始量产;7nm制程已生产出具30～40%良率的128Mb静态随机存取存储器（SRAM）,2017年第一季将成为业界首家完成7nm技术认证的半导体厂。台积电2015年起扩大16nm鳍式场效电晶体（Fin FET）量产规模,加强版制程16FF＋提前一季达成良率目标,

出处《集成电路应用》 2016年第6期43-43,共1页 Application of IC

关键词随机存取存储器晶圆厂季将鳍式技术认证 NM 移动装置物联网精简版程节

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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