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耐超强磁场52T的MoS2原子膜
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摘要
日本东京大学与京都大学等大学组成的研究团队发现,在MoS2单晶表面(约1层原子厚度)呈现超导状态的极薄二维超导体,在-271.7℃极低温区,在层平行方向施加强磁场,可经受52T的超强磁场作用,这种MoS2原子膜将促进强磁场下线性电机和核磁共振成像仪等装置的稳定运行。
出处
《金属功能材料》
CAS
2016年第3期50-50,共1页
Metallic Functional Materials
关键词
超强磁场
MOS2
原子
核磁共振成像仪
日本东京大学
膜
京都大学
磁场作用
分类号
TM574 [电气工程—电器]
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金属功能材料
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