摘要
晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。对晶体管技术行业的应用与发展进行分析。
出处
《技术与市场》
2016年第7期209-209,共1页
Technology and Market
二级参考文献21
-
1KASPER E, HERZOG H J, KIBBEL H. A one- dimensional SiGe superlattices grown by UHV epitaxy [J].Appl Phys Lett, 1975, 8 (3): 199-201.
-
2KASPER E, PABST W. Profiling of SiGe superlattices by He backscattering [J]. Thin Solid Films, 1976, 37 (1) : 5 -7.
-
3MEYERSON B S. Low-temperature silicon epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition [ J]. Appl Phys Lett, 1986, 48 (12): 797-799.
-
4MEYERSON B S. High electron mobility in modulation- doped Si/SiGe [J]. Appl Phys Lett, 1991, 58 (19): 2117 -21t9.
-
5MEYERSON B S, HIMPSEL F J, URAN K J. Bistable conditions for low temperature silicon epitaxy [J]. Appl Phy Lett, 1990, 57 (10): 1054-1036.
-
6MEYERSON B S, LEGOUEA F K, NGUYEN T N. Nonequilibrium boron doping effects in low-temperature epitaxial silicon films [J]. Appl Phys Lett, 1987, 9 (4): 165-167.
-
7PATTON G L, IYER S S, DELAGE S L, et al. Silicon germanium base heterojunction bipolar transistors by molecular beam epitaxial [J]. IEEE Electron Device Letters, 1988, 9 (4): 165-167.
-
8ODA K, UHOE E, TANABE M, et al. 130 GHz-fT SiGe HBT technology [ C ]/// Proceedings of International Electron Devices Meeting. Sweden: Chalmers University, 1997:791 - 794.
-
9SATO F, HASHIMOTO T, TATSUMI T, et al. Sub-20 ps ECL circuits with high performance super self-aligned selectively grown SiGe base(SSSB) bipolar transistors [ J ]. IEEE Transactions on Electron Devices, 1995,40( 3 ) :483- 488.
-
10HARAME D L,COMFORT J H,CRESSLER J D,et al. Si/SiGe epitaxial base transistors-part Ⅱ: process integration and analog applications [ J ]. IEEE Transactions on Electron Devices, 1995,42 ( 3 ) : 483 - 488.
共引文献13
-
1江雪颖,王彦虎,宗博寰,赵治乾,魏淑华,张静.基于虚拟仪器的三极管伏安特性测量的研究[J].电子世界,2012(21):46-47.
-
2李春杰.基于LVQ神经网络的乐器识别方法[J].科技信息,2013(2):153-153. 被引量：2
-
3王晶.数控直流稳压电源的一种实现方法[J].科技信息,2013(2):215-215.
-
4夏滢.等精度数字频率计[J].黑龙江科技信息,2013(3):92-92. 被引量：1
-
5刘忠富.计量泵控制系统的设计[J].黑龙江科技信息,2013(3):93-93.
-
6阮颖,张书霖.UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计[J].上海电力学院学报,2013,29(3):238-240. 被引量：1
-
7毕坤.浅谈晶体管技术的领域趋势[J].中国新通信,2015,17(21):14-15.
-
8马羽,王志宽,崔伟.SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势[J].微电子学,2018,48(4):508-514. 被引量：9
-
9何春,邢丽,江耀曦.基于Multisim的阶梯波发生电路研究[J].电子产品世界,2021,28(10):37-41. 被引量：1
-
10魏正华,叶小兰,刘卫,张玲玉.SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计[J].东莞理工学院学报,2021,28(5):25-30. 被引量：2
同被引文献3
-
1胡文平.晶体管[J].化学通报,2006,69(5):372-381. 被引量：2
-
2方曙,张娴,肖国华.专利情报分析方法及应用研究[J].图书情报知识,2007,24(4):64-69. 被引量：111
-
3王曰芬,刘卫江,邱玉婷.专利预警信息分析系统的体系架构设计[J].情报理论与实践,2014,37(6):107-111. 被引量：14
