摘要
该文综述了利用外延技术在高失配度的基片上生长同质或者异质缓冲层能够提高AZO薄膜的质量。重点阐述不同工艺条件下制备缓冲层对AZO薄膜光电性能影响,介绍AZO薄膜发展近况,并指出目前AZO薄膜发展瓶颈,展望了其未来发展趋势。
The quality of AZO thin films can be improved using the epitaxial technique on growing the homogeneous or heteroge- neous buffer layer on the substrate with high mismatch. The influence of the preparation parameters of different buffer layers on the pho- toelectric properties of AZO film and the AZo films＇s recent developments are emphatically expounded. Moreover, the development of AZO film and the future development trend are prospected.
出处
《实验科学与技术》
2016年第3期36-40,共5页
Experiment Science and Technology
基金
吉首大学2014年大学生研究性学习与创新性实验计划项目(72)
吉首大学校级科研项目(14JD031)
关键词
AZO薄膜
外延技术
缓冲层
AZO thin film
epitaxy technology
buffer layer
