期刊文献+

美国发明辉钼忆阻器 或将改变未来半导体领域方向

原文传递
导出
摘要 据美国科学学术网近日报道,美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性忆阻器,可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片,科学学术网认为这一发明很可能让半导体芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。
出处 《半导体信息》 2016年第1期22-22,共1页 Semiconductor Information
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部