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美国发明辉钼忆阻器 或将改变未来半导体领域方向
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摘要
据美国科学学术网近日报道,美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性忆阻器,可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片,科学学术网认为这一发明很可能让半导体芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。
出处
《半导体信息》
2016年第1期22-22,共1页
Semiconductor Information
关键词
半导体芯片
钼基
发明
美国
科学家
高速存储
低功耗
学术
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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