期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

超低静态电流（IQ）浪涌抑制器

下载PDF

导出

摘要 LTC4380利用一个简单的IC和串联N沟道MOSFET解决方案取代了由庞大笨重的电感器、电容器、瞬态电压抑制器（TVS）和熔丝构成的传统分流电路，从而节省了电路板空间，

出处《今日电子》 2016年第7期64-65,共2页 Electronic Products

关键词浪涌抑制器低静态电流 N沟道MOSFET 瞬态电压抑制器电路板电感器电容器熔丝

分类号 TM862 [电气工程—高电压与绝缘技术]

引文网络
相关文献

1凌力尔特推出LTC3872H级版本[J].单片机与嵌入式系统应用,2011,11(6):87-87.
2LM5001：高压开关模式稳压器[J].世界电子元器件,2009(2):17-18.
3飞兆半导体推出200V、250V PowerTrench MOSFET[J].电世界,2007,48(4):50-50.
4凌力尔特推出双输出、大功率同步升压型开关DC/DC控制器[J].电子与电脑,2010(2):57-57.
5双输出、大功率60V同步升压型控制器[J].电子设计工程,2010,18(2):120-120.
6飞兆半导体N沟道MOSFET系列产品——FDS881XNZ 为笔记本电脑和便携式电池组保护设计提供90%更高的ESD性能[J].电子与电脑,2007(9):51-51.
7效率高达98％的同步升压型控制器[J].电子元器件应用,2010,12(11):103-103.
8凌特6A MOSFET栅极驱动器[J].电子产品世界,2004,11(12B):36-37.
9LT4363：过压保护控制器[J].世界电子元器件,2012(3):36-36.
10低压差稳压器可设定输出电压[J].电子设计技术 EDN CHINA,2009,16(10):22-22.

今日电子

2016年第7期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部