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中科院铟镓砷MOSFET射频开关芯片研究获进展
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摘要
中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心在高迁移率钢镓砷（1nGaAs）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得新进展。
出处
《军民两用技术与产品》
2016年第11期24-24,共1页
Dual Use Technologies & Products
关键词
MOSFET
铟镓砷
金属氧化物半导体场效应晶体管
开关芯片
中科院
射频
电子研究所
中国科学院
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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军民两用技术与产品
2016年 第11期
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