中科院阻变存储器研究获新突破

中国科学院微电子研究所的研究人员在阻变存储器（RRAM）三维垂直交叉阵列研究领域取得了新的突破性进展，提出了白对准高性能自选通阻变存储器结构，为高密度、低成本三维垂直交叉阵列的制备提供了解决方案。在实现阻变存储器高密度应用方面，垂直结构的交叉阵列具有制备工艺简单、成本低廉等优点。