硅片CMP终点检测技术现状与发展趋势

化学机械抛光是硅片表面全面平坦化的核心技术之一,其中准确有效的终点检测是影响抛光效果的重要关键。若未能有效地监测抛光工艺过程,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷。本文在介绍CMP机制的基础上,着重阐述了当前几种CMP终点检测技术的原理及优缺点,最后讨论了CMP终点检测技术的发展趋势。