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n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器研究 被引量:1

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摘要 本文在传统的半导体外延工艺上生长了氮化镓Ga N和氧化锌Zn O两种第三代宽禁带半导体薄膜,并在此基础上通过半导体器件工艺制备了n-Zn O/i-Zn O/p-Ga N异质结紫外探测器,I-V曲线和光响应度测试,器件显示了较低的反偏压漏电流和较强的紫外波段的光响应电流,优秀的性能充分地展示了该异质结探测器在军、民用中有着重要的应用前景。
作者 张权林
出处 《电子世界》 2016年第14期122-122,125,共2页 Electronics World
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Zhu H,Shan C X,Wang L K,et al.Metal-Oxide-SemiconductorStructured Mg Zn O Ultraviolet Photodetector with High Internal Gain.JPhys Chem C,2010,114(15):7169-7172.
  • 2Huang J,Wang L,Xu R,et al.Growth of p-type Zn O films and fabrication of Zn O photodiode-based UV detectors.Semicond Sci Tech,2009,24(7):075025.
  • 3Lin T-S and Lee C-T.Performance investigation of p-i-n Zn O-based thin film homojunction ultraviolet photodetectors.Appl Phys Lett,2012,101(22):221118.

同被引文献3

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